数个月前，闪迪（SanDisk）与SK海力士（SK hynix）共同发布了下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。通过将HBM级别的读取带宽结合其8-16倍的容量，HBF有望解决AI的“存储墙”问题。
据Wccftech报道，闪迪与SK海力士正在合作开发一个HBF的原型设计，每个单元的容量为512GB，对应带宽可在0.4TB/s至3TB/s之间，预计2028年或2029年实现商业化推广。分析指出，典型的8层堆叠HBF的每GB成本大概在0.64美元，相当于8层堆叠HBM4（每GB成本6.78美元）成本的十分之一。
如此明显的成本差异可以让HBF适配多种场景，考虑到8层堆叠HBF所使用的晶圆数量是典型TLC NAND闪存的6.5倍，这意味着HBF进入商业化阶段后将占用相当部分的产能，压缩普通NAND闪存的供应，在可预见的未来，很难让SSD变得更便宜。
按照之前的说法，HBF的主要优势在于容量而非性能，可被视为大容量内存技术，以应对那些需要大容量内存但带宽消耗较小的工作负载。在相同成本和功耗下，用HBF替代HBM大约能增加14倍的内存容量，但是HBF总带宽大概为HBM的60%。
