IT之家 11 月 5 日消息，市场研究机构 Counterpoint Research 今日发布的《全球内存市场追踪》报告显示，2026 年第三季度全球 DRAM 市场营收接近 2,000 亿美元（IT之家注：现汇率约合 1.34 万亿元人民币），同比增长 369%，接近去年同期的 5 倍。
Counterpoint Research 指出，此轮 DRAM 市场增长主要由价格上涨推动，而非出货量大幅增加。当季 DRAM 单位出货量环比仅增长约 4%，每 Gb 平均售价则达到 1.9 美元。
高级分析师 Jeongku Choi 表示，本轮行情属于价格推动的超级周期，而不是出货量周期。“AI 已经将内存从普通大宗商品转变为高价值稀缺资源，买家当前的核心动作是争抢供应而非议价，在价格持续上涨的背景下，存储厂商下一季度将再创新的盈利纪录。”
分厂商来看，三星电子以 38% 的市场份额稳居 DRAM 市场第一；SK 海力士环比营收增长超过 40%，大幅缩小与三星的差距，追回了今年早些时候丢失的部分市场份额；美光受 AI 数据中心内存需求拉动同样表现强劲，但增速落后于三星与 SK 海力士；长鑫存储的市场份额从二季度的 10% 下滑至三季度的 9%，随着竞争对手从四季度开始出货溢价更高的 HBM4 产品，长鑫存储的份额预计将持续承压。
从产品结构来看，HBM 营收几乎翻倍，但其在 DRAM 总营收中的占比反而下降，原因是传统 DRAM 产品增长更快。
Counterpoint Research 研究总监 MS Hwang 表示，随着新一代 HBM 产品陆续推出，厂商之间的竞争格局也在变化。SK 海力士此前在 HBM3E 市场占据优势，而三星 HBM4 获得客户积极反馈。他预计，三星有望在明年成为 HBM 市场份额最高的厂商。
传统 DRAM 的需求增长也与 AI 基础设施变化有关。Counterpoint Research 副总监 Brady Wang 表示，AI 智能体推动了传统 DRAM 需求增长。
Counterpoint Research 云端 AI 算力追踪数据显示，GPU 与 CPU 的配比已从 4:1 缩小至 2:1，并呈现进一步向 1:1 靠拢的趋势。以英伟达 Vera Rubin 机架为例，其每颗 CPU 插槽搭载的 DRAM 容量增至 1.5TB，接近上一代产品的 3 倍。
Brady Wang 还指出，DDR 和 LPDDR 的平均售价均升至历史高位，相关产品营收同比分别增长 500% 和接近 400%。随着服务器 CPU 用量增加，传统 DRAM 的需求预计还将继续增长，并可能进一步推高明年的每 Gb 平均售价，同时给边缘设备市场带来成本压力。
MS Hwang 同时补充道，“内存价格在明年将保持强势，今年涨幅落后于通用 DRAM 的 HBM 价格目前正在追赶，长期协议（LTA）对价格形成支撑，且由于主要新晶圆厂要到 2028 年才会投产，供应将持续偏紧，短期各家厂商的业绩会因 LTA 条款存在差异，但长期来看都会保持向上走势。”
对于后续走势，MS Hwang 表示，内存价格明年仍有望保持强势。此前涨幅相对滞后的 HBM 价格正在追赶传统 DRAM，长期供货协议也为价格提供支撑。此外，主要厂商的新晶圆厂预计要到 2028 年才会开始投产，供应紧张局面或将延续。
“海量需求推动 DDR、LPDDR 的平均售价创下历史新高，二者营收同比分别增长 500%、近 400%。我们观测到服务器 CPU 相关内存消耗正在显著提升，这将进一步推高明年每 Gb 的均价，同时给终端市场带来压力。”
