过去几年里，凭借HBM3和HBM3E产品的优异表现，SK海力士在高利润的HBM市场混得风生水起，甚至一度超越三星，成为了DRAM领域的头号厂商。不过随着HBM4时代的到来，三星逐渐解决了过去产品中存在的性能与生产问题，SK海力士在HBM市场的份额也出现了下滑，从64%降至50%，而三星已经提高至33%。

据TECHPOWERUP报道，近日一则来自SK海力士未来技术研究院工程师透露的消息，称SK海力士在HBM的混合键合技术开发上遇到了困难，相关HBM样品尚未启动生产。要知道三星已经向客户发送了采用混合键合技术的HBM样品，如果情况属实，对于SK海力士来说将是沉重的打击，这意味着接下来可能会流失部分高端市场。

之前JEDEC固态存储协会在制定HBM4标准时，其中一项讨论便是高度，从过去最高720微米的限制，放宽至775微米，以适配12层及16层堆叠。考虑到HBM4E和HBM5等后续HBM迭代产品将引入20层堆叠，未来或许会进一步放宽高度限制，提高至825至900微米。

有关放宽HBM高度标准的讨论背后的另一个因素是涉及键合技术，在制造HBM方面发挥着关键作用。随着堆叠层数的增加，需要缩小芯片之间的间隙，业界普遍认为需要引入混合键合技术来做到这一点。对于HBM制造商来说，目前混合键合技术仍然具有挑战性。

之前由于HBM4高度放宽，让SK海力士有条件在现有键合技术中实现16层堆叠，无需转向新的混合键合技术，从而降低了成本和制造难度。相比之下，三星是对混合键合技术最为积极的HBM厂商，计划在部分16层堆叠的HBM4E产品中采用混合键合技术。