据The Information报道，全球最大晶圆代工厂台积电（TSMC）正在考虑进军先进DRAM市场，启动3D DRAM的生产。虽然三星、SK海力士和美光三大原厂都在积极扩张产能，但是市场仍然存在较大的供需缺口。台积电有这方面的考虑，主要还是来自于最大客户英伟达的请求。

前一代时间，美光宣布终止4F²单元结构的DRAM开发，选择继续扩展6F²单元结构，同时将3D DRAM作为长期替代方案。三星和SK海力士作为DRAM领域位列前二的领导厂商，过去几年里，也在加快3D DRAM商业化进程。

不同于CPU，存储芯片需要依靠电容器存储数据，可是随着制程节点不断缩小，存储数据的复杂度增加，因为电容器必须达到一定尺寸才能工作。一直以来，DRAM开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此厂商转向3D DRAM，来克服物理的极限。

3D DRAM设计的重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，厂商需要制定相应的工艺来满足生产的要求。目前三星和SK海力士各自押注不同的技术路线来制造下一代DRAM芯片，前者考虑到了GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，后者则是尝试4F²单元结构。

暂时还不清楚台积电在3D DRAM上选择的技术来源和路线，以及具体的执行时间表。有消息称，台积电考虑建造专门生产DRAM的晶圆厂，不过这可能需要多年时间，为此收购一座已建成的设施也成为了选项，毕竟能大大缩短产品上市的时间。